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Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1954年,該期刊主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI3區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)工程技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 1區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) | 4區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 1區(qū) 3區(qū) | 是 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 10 / 40 |
76.3% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 354 |
58.05% |
學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 13 / 40 |
68.75% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Energy 小類:Nuclear Energy and Engineering | Q2 | 23 / 77 |
70% |
大類:Energy 小類:Nuclear and High Energy Physics | Q2 | 31 / 87 |
64% |
大類:Energy 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 361 / 797 |
54% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 499 | 381 | 363 | 381 | 376 | 289 | 320 | 331 | 282 | 330 |
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
USA | 331 |
CHINA MAINLAND | 200 |
France | 185 |
Italy | 105 |
Switzerland | 95 |
Japan | 78 |
GERMANY (FED REP GER) | 53 |
South Korea | 44 |
England | 41 |
Russia | 37 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 105 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 80 |
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) | 76 |
CEA | 73 |
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) | 58 |
UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE | 29 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators | 53 |
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling | 15 |
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate | 12 |
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics | 11 |
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout | 11 |
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses | 9 |
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications | 9 |
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields | 9 |
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal | 9 |
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs | 8 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。