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Ieee Transactions On Nuclear Science
人氣:47

Ieee Transactions On Nuclear Science SCIE

  • ISSN:0018-9499
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:1558-1578
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 是否預(yù)警:
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:1954
  • 出版周期:Bimonthly
  • TOP期刊:
  • 影響因子:1.9
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:3.7
  • H-index:110
  • 研究類文章占比:99.70%
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • 文章自引率:0.2777...
  • 開源占比:0.1597
  • 出版國人文章占比:0.13
  • 出版修正文章占比:0.0031...
  • 國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:IEEE T NUCL SCI
  • 涉及的研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
  • 中文名稱:IEEE核科學(xué)匯刊
  • 預(yù)計(jì)審稿周期: 約3.0個(gè)月
國內(nèi)分區(qū)信息:

大類學(xué)科:工程技術(shù)  中科院分區(qū)  3區(qū)

國際分區(qū)信息:

JCR學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY  JCR分區(qū)  Q1

  • 影響因子:1.9
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • CiteScore:3.7
  • 研究類文章占比:99.70%
  • 開源占比:0.1597
  • 文章自引率:0.2777...
  • 出版國人文章占比:0.13

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Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊簡介

Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1954年,該期刊主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI3區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)工程技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步。

同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約3.0個(gè)月 。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究內(nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊國內(nèi)分區(qū)信息

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) 4區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū) 3區(qū)

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊國際分區(qū)信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

CiteScore指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.7
  • SJR:0.537
  • SNIP:1.339
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Energy 小類:Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大類:Energy 小類:Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大類:Energy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

期刊評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
期刊影響因子和自引率趨勢(shì)圖

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

年發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發(fā)文量 499 381 363 381 376 289 320 331 282 330
國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國家/地區(qū) 數(shù)量
USA 331
CHINA MAINLAND 200
France 185
Italy 105
Switzerland 95
Japan 78
GERMANY (FED REP GER) 53
South Korea 44
England 41
Russia 37
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) 數(shù)量
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) 105
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 100
VANDERBILT UNIVERSITY 93
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 80
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) 76
CEA 73
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) 58
UNIVERSITE DE TOULOUSE 34
UNIVERSITE DE MONTPELLIER 31
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE 29

高引用文章

文章名稱 引用次數(shù)
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators 53
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling 15
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate 12
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics 11
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout 11
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses 9
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications 9
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields 9
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal 9
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs 8

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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