日本免费精品视频,男人的天堂在线免费视频,成人久久久精品乱码一区二区三区,高清成人爽a毛片免费网站

在線客服
Ieee Transactions On Nanotechnology
人氣:39

Ieee Transactions On Nanotechnology SCIE

  • ISSN:1536-125X
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:1941-0085
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 是否預(yù)警:
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:2002
  • 出版周期:Quarterly
  • TOP期刊:
  • 影響因子:2.1
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:4.8
  • H-index:73
  • 研究類文章占比:100.00%
  • Gold OA文章占比:8.41%
  • 文章自引率:0.0833...
  • 開源占比:0.1101
  • 出版國人文章占比:0.2
  • 國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:IEEE T NANOTECHNOL
  • 涉及的研究方向:工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合
  • 中文名稱:IEEE納米技術(shù)匯刊
  • 預(yù)計(jì)審稿周期: 約3.0個(gè)月
國內(nèi)分區(qū)信息:

大類學(xué)科:工程技術(shù)  中科院分區(qū)  4區(qū)

國際分區(qū)信息:

JCR學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY、NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY、PHYSICS, APPLIED  JCR分區(qū)  Q3

  • 影響因子:2.1
  • Gold OA文章占比:8.41%
  • CiteScore:4.8
  • 研究類文章占比:100.00%
  • 開源占比:0.1101
  • 文章自引率:0.0833...
  • 出版國人文章占比:0.2

推薦合適期刊 投稿指導(dǎo) 助力快速見刊免費(fèi)咨詢

Ieee Transactions On Nanotechnology 期刊簡介

Ieee Transactions On Nanotechnology是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2002年,該期刊主要刊載工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)工程技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步。

同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約3.0個(gè)月 。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究內(nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。

Ieee Transactions On Nanotechnology 期刊國內(nèi)分區(qū)信息

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

Ieee Transactions On Nanotechnology 期刊國際分區(qū)信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

CiteScore指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.435
  • SNIP:0.783
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

期刊評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
期刊影響因子和自引率趨勢(shì)圖

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

年發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發(fā)文量 161 142 124 147 180 129 121 118 106 109
國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 119
USA 104
India 91
Taiwan 39
South Korea 28
Iran 27
GERMANY (FED REP GER) 18
Italy 17
France 14
Spain 14
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) 數(shù)量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 33
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) 24
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 22
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 14
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA 12
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 11
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 10
UNIVERSITY OF HONG KONG 10
JILIN UNIVERSITY 9
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE PILANI (BITS PILANI) 8

高引用文章

文章名稱 引用次數(shù)
An Improved Particle Filter With a Novel Hybrid Proposal Distribution for Quantitative Analysis of Gold Immunochromatographic Strips 44
Graphene-Silicon Schottky Diodes for Photodetection 26
One-Step Synthesis of Au/SnO2/RGO Nanocomposites and Their VOC Sensing Properties 21
Perovskite Methylammonium Lead Trihalide Heterostructures: Progress and Challenges 18
Digital Metasurface Based on Graphene: An Application to Beam Steering in Terahertz Plasmonic Antennas 17
Engineering Hexagonal Array of Nanoholes for High Sensitivity Biosensor and Application for Human Blood Group Detection 14
Highly Sensitive Ammonia Sensors Based on Ag-Decorated WO3 Nanorods 14
Parasitic Effect Analysis in Memristor-Array-Based Neuromorphic Systems 13
Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures 12
Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI 12

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

友情鏈接