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第1章 光刻技術(shù)概述

1.1 半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)

1.2 集成電路的結(jié)構(gòu)和光刻層

1.3 光刻工藝

1.4 曝光系統(tǒng)的分辨率和聚焦深度

1.4.1 分辨率

1.4.2 聚焦深度

1.4.3 調(diào)制傳遞函數(shù)

1.5 對(duì)設(shè)計(jì)的修正和版圖數(shù)據(jù)流程

1.6 光刻工藝的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

1.7 去膠返工

1.8 光刻工藝中缺陷的檢測(cè)

1.8.1 旋涂后光刻薄膜中缺陷的檢測(cè)

1.8.2 曝光后圖形的缺陷檢測(cè)

1.9 光刻工藝的成本

1.10 現(xiàn)代光刻工藝研發(fā)各部分的職責(zé)和協(xié)作

1.10.1 晶圓廠光刻內(nèi)部的分工以及各單位之間的交叉和牽制

1.10.2 先導(dǎo)光刻工藝研發(fā)的模式

1.10.3 光刻與刻蝕的關(guān)系

參考文獻(xiàn)

第2章 勻膠顯影機(jī)及其應(yīng)用

2.1 勻膠顯影機(jī)的結(jié)構(gòu)

2.2 勻膠顯影流程的控制程序

2.3 勻膠顯影機(jī)內(nèi)的主要工藝單元

2.3.1 晶圓表面增粘處理

2.3.2 光刻膠旋涂單元

2.3.3 烘烤和冷卻

2.3.4 邊緣曝光

2.3.5 顯影單元

2.4 清洗工藝單元

2.4.1 去離子水沖洗

2.4.2 晶圓背面清洗

2.5 勻膠顯影機(jī)中的子系統(tǒng)

2.5.1 化學(xué)液體輸送系統(tǒng)

2.5.2 勻膠顯影機(jī)中的微環(huán)境和氣流控制

2.5.3 廢液收集系統(tǒng)

2.5.4 數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)

2.6 勻膠顯影機(jī)性能的監(jiān)測(cè)

2.6.1 膠厚的監(jiān)測(cè)

2.6.2 旋涂后膠膜上顆粒的監(jiān)測(cè)

2.6.3 顯影后圖形缺陷的監(jiān)測(cè)

2.6.4 熱盤(pán)溫度的監(jiān)測(cè)

2.7 集成于勻膠顯影機(jī)中的在線(xiàn)測(cè)量單元

2.7.1 膠厚測(cè)量單元

2.7.2 膠膜缺陷的檢測(cè)

2.7.3 使用高速相機(jī)原位監(jiān)測(cè)工藝單元內(nèi)的動(dòng)態(tài)

2.8 勻膠顯影機(jī)中的閉環(huán)工藝修正

2.9 勻膠顯影設(shè)備安裝后的接收測(cè)試

2.9.1 顆粒測(cè)試

2.9.2 增粘單元的驗(yàn)收

2.9.3 旋涂均勻性和穩(wěn)定性的驗(yàn)收

2.9.4 顯影的均勻性和穩(wěn)定性測(cè)試

2.9.5 系統(tǒng)性測(cè)試

2.9.6 產(chǎn)能測(cè)試

2.9.7 對(duì)機(jī)械手的要求

2.10 勻膠顯影機(jī)的使用維護(hù)

參考文獻(xiàn)

第3章 光刻機(jī)及其應(yīng)用

3.1 投影式光刻機(jī)的工作原理

3.1.1 步進(jìn)掃描式曝光

3.1.2 光刻機(jī)曝光的流程

3.1.3 曝光工作文件的設(shè)定

3.1.4 雙工件臺(tái)介紹

3.2 光刻機(jī)的光源及光路設(shè)計(jì)

……

第4章 光刻材料

第5章 掩模板及其管理

第6章 對(duì)準(zhǔn)和套刻誤差控制

第7章 光學(xué)鄰近效應(yīng)修正與計(jì)算光刻

第8章 光刻工藝的設(shè)定與監(jiān)控

第9章 晶圓返工與光刻膠的清除

第10章 雙重和多重光刻技術(shù)

第11章 極紫外(EUV)光刻技術(shù)

中英文光刻術(shù)語(yǔ)對(duì)照

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