葉志鎮(zhèn)、呂建國、呂斌、張銀珠編著的《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理(第2版)》系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)。全書共分十章。及時(shí)章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)。
本書文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出，內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合，理論和實(shí)踐相結(jié)合，以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點(diǎn)，結(jié)合半導(dǎo)體材料和器件的性能介紹，同時(shí)還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)。本書具有內(nèi)容翔實(shí)、概念清楚、圖文并茂的特點(diǎn)。
本書讀者對象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學(xué)等學(xué)科的研究生或高年級本科生的半導(dǎo)體薄膜技術(shù)課程的教材，也可作為從事半導(dǎo)體材料、薄膜材料、光電器件等領(lǐng)域的科研人員、工程技術(shù)人員的參考書籍。
介紹半導(dǎo)體薄膜的真空技術(shù)；物理氣相沉積技術(shù)(PVD)；化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)；分子束外延技術(shù)；液相外延技術(shù)等內(nèi)容。
葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學(xué)光儀系工學(xué)博士學(xué)位；畢業(yè)后留校工作，1990～1992年留學(xué)美國麻省理工學(xué)院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導(dǎo)?，F(xiàn)為浙江大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院副院長、浙江大學(xué)納米中心主任。 1988年進(jìn)入浙江大學(xué)材料系，在硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制備、物性調(diào)控及光電應(yīng)用；納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用?，F(xiàn)兼任國家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導(dǎo)體與集成技術(shù)、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理專委委員等。
第1章 真空技術(shù)
§1.1 真空的基本概念
1.1.1 真空的定義
1.1.2 真空度單位
1.1.3 真空區(qū)域劃分
§1.2 真空的獲得
§1.3 真空度測量
1.3.1 熱傳導(dǎo)真空計(jì)
1.3.2 熱陰極電離真空計(jì)
1.3.3 冷陰極電離真空計(jì)
§1.4 真空度對薄膜工藝的影響
參考文獻(xiàn)
第2章 蒸發(fā)技術(shù)
§2.1 發(fā)展歷史與簡介
§2.2 蒸發(fā)的種類
2.2.1 電阻熱蒸發(fā)
2.2.2 電子束蒸發(fā)
2.2.3 高頻感應(yīng)蒸發(fā)
2.2.4 激光束蒸發(fā)
2.2.5 反應(yīng)蒸發(fā)
§2.3 蒸發(fā)的應(yīng)用實(shí)例
2.3.1 Cu(In，Ga)Se2薄膜
2.3.2 ITO薄膜
參考文獻(xiàn)
第3章 濺射技術(shù)
§3.1 濺射基本原理
§3.2 濺射主要參數(shù)
3.2.1 濺射閾和濺射產(chǎn)額
3.2.2 濺射粒子的能量和速度
3.2.3 濺射速率和淀積速率
§3.3 濺射裝置及工藝
3.3.1 陰極濺射
3.3.2 三極濺射和四極濺射
3.3.3 射頻濺射
3.3.4 磁控濺射
3.3.5 反應(yīng)濺射
§3.4 離子成膜技術(shù)
3.4.1 離子鍍成膜
3.4.2 離子柬成膜
§3.5 濺射技術(shù)的應(yīng)用
3.5.1 濺射生長過程
3.5.2 濺射生長ZnO薄膜的性能
參考文獻(xiàn)
第4章 化學(xué)氣相沉積
§4.1 概述
§4.2 硅化學(xué)氣相沉積
4.2.1 CVD反應(yīng)類型
4.2.2 CVD熱力學(xué)分析
4.2.3 CVD動(dòng)力學(xué)分析
4.2.4 不同硅源的外延生長
4.2.5 成核
4.2.6 摻雜
4.2.7 外延層質(zhì)量
4.2.8 生長工藝
§4.3 CVD技術(shù)的種類
4.3.1 常壓CVD
4.3.2 低壓CVD
4.3.3 超高真空CVD
§4.4 能量增強(qiáng)CVD技術(shù)
4.4.1 等離子增強(qiáng)CVD
4.4.2 光增強(qiáng)CVD
§4.5 鹵素輸運(yùn)法
4.5.1 氯化物法
4.5.2 氫化物法
§4.6 MOCVD技術(shù)
4.6.1 MOCVD簡介
4.6.2 MOCVD生長GaAs
4.6.3 MOCVD生長GaN
4.6.4 MOCVD生長ZnO
§4.7 特色CVD技術(shù)
4.7.1 選擇外延CVD技術(shù)
4.7.2 原子層外延
參考文獻(xiàn)
第5章 脈沖激光沉積
§5.1 脈沖激光沉積概述
§5.2 PLD的基本原理
5.2.1 激光與靶的相互作用
5.2.2 燒蝕物的傳輸
5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積
§5.3 顆粒物的抑制
§5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的應(yīng)用
5.4.1 Zn0薄膜的PLD生長
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生長
參考文獻(xiàn)
第6章 分子束外延
§6.1 引言
§6.2 分子束外延的原理和特點(diǎn)
§6.3 外延生長設(shè)備
§6.4 分子束外延生長硅
6.4.1 表面制備
6.4.2 外延生長
6.4.3 摻雜
6.4.4 外延膜的質(zhì)量診斷
§6.5 分子束外延生長Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.5.1 MBE生長GaAs
6.5.2 MBE生長InAs/GaAs
6.5.3 MBE生長GaN
§6.6 分子束外延生長Ⅱ一Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.6.1 HgCdTe材料
6.6.2 CdTe/Si的外延生長
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生長
6.6.4 ZnSe、ZnTe
6.6.5 ZnO薄膜
§6.7 分子束外延生長其他半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.7.1 SiC材料
6.7.2 生長小尺寸Ge/Si量子點(diǎn)
6.7.3 生長有機(jī)半導(dǎo)體薄膜
參考文獻(xiàn)
第7章 液相外延
§7.1 液相外延生長的原理
7.1.1 液相外延基本概況
7.1.2 硅液相外延生長的原理
§7.2 液相外延生長方法和設(shè)備
§7.3 液相外延生長的特點(diǎn)
§7.4 液相外延的應(yīng)用實(shí)例
7.4.1 硅材料
7.4.2 Ⅲ-族化合物半導(dǎo)體材料
7.4.3 碲鎘汞材料
7.4.4 SiC材料
參考文獻(xiàn)
第8章 濕化學(xué)制備方法
§8.1 溶膠一凝膠技術(shù)
8.1.1 Sol-Gel的生長機(jī)制
8.1.2 Sol-Gel的工藝過程
8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜
8.1.4 Sol-Gel的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
§8.2 噴霧熱分解技術(shù)
8.2.1 噴霧熱分解的種類
8.2.2 噴霧熱分解的生長過程
8.2.3 噴霧熱分解的應(yīng)用介紹
8.2.4 噴霧熱分解制備ZnO薄膜
§8.3 液相電沉積技術(shù)
8.3.1 電沉積簡介
8.3.2 電沉積制備類金剛石薄膜
參考文獻(xiàn)
第9章 半導(dǎo)體超晶格和量子阱
§9.1 引言
§9.2 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的概念和分類
9.2.1 組分超晶格
9.2.2 摻雜超晶格
9.2.3 應(yīng)變超晶格
9.2.4 調(diào)制摻雜超晶格
§9.3 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的量子特性
9.3.1 量子約束效應(yīng)
9.3.2 量子隧穿和超晶格微帶效應(yīng)
9.3.3 共振隧穿效應(yīng)
§9.4 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的結(jié)構(gòu)和器件應(yīng)用介紹
9.4.1 GaAs/AlxGa1-xAs體系
9.4.2 ZnSe基異質(zhì)結(jié)、量子阱結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第10章 半導(dǎo)體器件制備技術(shù)
§10.1 襯底材料的清洗
§10.2 發(fā)光二極管
10.2.1 GaN基LED
10.2.2 ZnO基LED
10.2.3 白光LED
§10.3 薄膜晶體管
10.3.1 薄膜晶體管的工作原理
10.3.2 非晶硅薄膜晶體管
10.3.3 多晶硅薄膜晶體管
10.3.4 有機(jī)薄膜晶體管
10.3.5 ZnO薄膜晶體管
§10.4 光電探測器
10.4.1 光電導(dǎo)探測器
10.4.2 肖特基型光電探測器
10.4.3 p-n結(jié)型光電探測器
10.4.4 改進(jìn)型光電二極管
參考文獻(xiàn)
