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納米級CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計圖書
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納米級CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計

納米級CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計》的內(nèi)容包括:CMOSVLSI電路設(shè)計的技術(shù)趨勢;半導(dǎo)體制造技術(shù);光刻技術(shù);工藝和器件的擾動和缺陷分析與建模;面向可制造性的物理設(shè)計技術(shù);測量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷...

內(nèi)容簡介

納米級CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計》的內(nèi)容包括:CMOSVLSI電路設(shè)計的技術(shù)趨勢;半導(dǎo)體制造技術(shù);光刻技術(shù);工藝和器件的擾動和缺陷分析與建模;面向可制造性的物理設(shè)計技術(shù);測量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影響的建模和合格率提高技術(shù);物

編輯推薦

納米級CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計》的目的是將讀者引入可制造性和性設(shè)計的世界,其定位是作為高年級本科生或低年級研究生的教材,也可以作為設(shè)計人員的參考書。由于這一領(lǐng)域有大量的會議和期刊,無法保障本書的內(nèi)容涵蓋的行業(yè)進(jìn)展。因此,我們將重點更多地放在原理和概念上,而非每個主題的細(xì)節(jié)。每章的后都有參考文獻(xiàn),供讀者進(jìn)行更深入的學(xué)習(xí)。本書是基于兩個合作者Sandip Kundu、Aswin Sreedhar共同的研究興趣而著成的,兩位作者都在可制造性設(shè)計領(lǐng)域發(fā)表過諸多成果。

目錄

第1章 緒論

1.1 技術(shù)趨勢:延續(xù)摩爾定律

1.1.1 器件的改進(jìn)

1.1.2 材料科學(xué)的貢獻(xiàn)

1.1.3 深亞波長光刻

1.2 可制造性設(shè)計

1.2.1 DFM的經(jīng)濟(jì)價值

1.2.2 偏差

1.2.3 對基于模型的DFM方法的需求

1.3 性設(shè)計

1.4 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第2章 半導(dǎo)體制造

2.1 概述

2.2 圖形生成工藝

2.2.1 光刻

2.2.2 刻蝕技術(shù)

2.3 光學(xué)圖形生成

2.3.1 照明系統(tǒng)

2.3.2 衍射

2.3.3 成像透鏡系統(tǒng)

2.3.4 曝光系統(tǒng)

2.3.5 空間像與縮小成像

2.3.6 光刻膠圖形生成

2.3.7 部分相干

2.4 光刻建模

2.4.1 唯象建模

2.4.2 光刻膠的物理建模

2.5 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第3章 工藝和器件偏差:分析與建模

3.1 概述

3.2 柵極長度偏差

3.2.1 光刻導(dǎo)致的圖形化偏差

3.2.2 線邊緣粗糙度:理論與特性

3.3 柵極寬度偏差

3.4 原子的波動

3.5 金屬和電介質(zhì)厚度偏差

3.6 應(yīng)力引起的偏差

3.7 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第4章 面向制造的物理設(shè)計

4.1 概述

4.2 光刻工藝窗口的控制

4.3 分辨率增強(qiáng)技術(shù)

4.3.1 光學(xué)鄰近效應(yīng)修正

4.3.2 亞分辨率輔助圖形

4.3.3 相移掩膜

4.3.4 離軸照明

4.4 DFM的物理設(shè)計

4.4.1 幾何設(shè)計規(guī)則

4.4.2 受限設(shè)計規(guī)則

4.4.3 基于模型的規(guī)則檢查和適印性驗證

4.4.4 面向可制造性的標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計

4.4.5 減小天線效應(yīng)

4.4.6 DFM的布局與布線

4.5 高級光刻技術(shù)

4.5.1 雙重圖形光刻

4.5.2 逆向光刻

4.5.3 其他高級技術(shù)

4.6 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第5章 計量、制造缺陷以及缺陷提取

5.1 概述

5.2 工藝所致的缺陷

5.2.1 誤差來源的分類

5.2.2 缺陷的相互作用及其電效應(yīng)

5.2.3 粒子缺陷建模

5.2.4 改善關(guān)鍵區(qū)域的版圖方法

5.3 圖形所致缺陷

5.3.1 圖形所致缺陷類型

5.3.2 圖形密度問題

5.3.3 圖形化缺陷建模的統(tǒng)計學(xué)方法

5.3.4 減少圖形化缺陷的版圖方法

5.4 計量方法

5.4.1 測量的精度和容限

5.4.2 CD計量

5.4.3 覆蓋計量

5.4.4 其他在線測量

5.4.5 原位計量

5.5 失效分析技術(shù)

5.5.1 無損測試技術(shù)

5.5.2 有損測試技術(shù)

5.6 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第6章 缺陷影響的建模以及成品率提高技術(shù)

6.1 概述

6.2 缺陷對電路行為影響的建模

6.2.1 缺陷和故障的關(guān)系

6.2.2 缺陷-故障模型的作用

6.2.3 測試流程

6.3 成品率提高

6.3.1 容錯技術(shù)

6.3.2 避錯技術(shù)

6.4 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第7章 物理設(shè)計和性

7.1 概述

7.2 電遷移

7.3 熱載流子效應(yīng)

7.3.1 熱載流子注入機(jī)制

7.3.2 器件損壞特性

7.3.3 經(jīng)時介電擊穿

7.3.4 緩解HCI引起的退化

7.4 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性

7.4.1 反應(yīng)-擴(kuò)散模型

7.4.2 靜態(tài)和動態(tài)NBTI

7.4.3 設(shè)計技術(shù)

7.5 靜電放電

7.6 軟錯誤

7.6.1 軟錯誤的類型

7.6.2 軟錯誤率

7.6.3 面向性的SER緩解與修正

7.7 性篩選與測試

7.8 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第8章 可制造性設(shè)計:工具和方法學(xué)

8.1 概述

8.2 IC設(shè)計流程中的DFx

8.2.1 標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計

8.2.2 庫特征化

8.2.3 布局、布線與虛擬填充

8.2.4 驗證、掩膜綜合與檢測

8.2.5 工藝和器件仿真

8.3 電氣DFM

8.4 統(tǒng)計設(shè)計與投資回報率

8.5 優(yōu)化工具的DFM

8.6 面向DFM的性分析

8.7 未來技術(shù)節(jié)點的DFx

8.8 結(jié)束語

參考文獻(xiàn)

網(wǎng)友評論(不代表本站觀點)

來自bobby_c**的評論:

2015-03-08 13:59:47
來自無昵稱**的評論:

非常滿意,很喜歡

2015-05-20 12:03:35
來自willhan**的評論:

總是在炎熱夏季帶給人清涼!

2016-06-25 18:53:04
來自whdwg**的評論:

GOOD

2016-11-11 20:03:48

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