推薦合適期刊 投稿指導(dǎo) 助力快速見刊免費(fèi)咨詢
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2001年,該期刊主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI3區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)工程技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步。
同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡(jiǎn)潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 較慢,6-12周 。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究?jī)?nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality | Q2 | 65 / 207 |
68% |
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 274 / 797 |
65% |
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 103 / 284 |
63% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 147 | 81 | 89 | 98 | 79 | 101 | 92 | 80 | 56 | 72 |
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
USA | 52 |
CHINA MAINLAND | 51 |
India | 50 |
Taiwan | 35 |
France | 20 |
Italy | 18 |
Belgium | 15 |
Austria | 14 |
Japan | 13 |
GERMANY (FED REP GER) | 12 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 23 |
IMEC | 15 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 14 |
STMICROELECTRONICS | 10 |
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN | 9 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 8 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 8 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 7 |
GLOBALFOUNDRIES | 7 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device | 23 |
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation | 9 |
Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling | 9 |
Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells | 8 |
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability | 7 |
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor | 7 |
Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects | 6 |
Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories | 6 |
A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications | 6 |
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor | 6 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。