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Ieee Transactions On Electron Devices是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本權(quán)威期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1954年,是工程技術(shù)領(lǐng)域中具有代表性的學(xué)術(shù)刊物。該期刊主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價值。此外,該刊同時被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI2區(qū)期刊,它始終堅持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價值的研究成果,不斷推動工程技術(shù)領(lǐng)域的進步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) | 是 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 221 / 797 |
72% |
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 82 / 284 |
71% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 629 | 633 | 737 | 759 | 789 | 802 | 878 | 1129 | 1093 | 1084 |
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 741 |
USA | 455 |
India | 399 |
Taiwan | 232 |
South Korea | 181 |
GERMANY (FED REP GER) | 149 |
Japan | 123 |
Italy | 111 |
France | 110 |
England | 100 |
機構(gòu) | 數(shù)量 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 239 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA | 123 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 92 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 81 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 76 |
IMEC | 74 |
PEKING UNIVERSITY | 66 |
XIDIAN UNIVERSITY | 58 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 57 |
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 50 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Fully Inkjet-Printed Photodetector Using a Graphene/Perovskite/Graphene Heterostructure | 42 |
Effects of Postannealing on the Characteristics and Reliability of Polyfluorene Organic Light-Emitting Diodes | 37 |
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance | 28 |
Demonstration of Constant 8 W/mm Power Density at and 94 GHz in State-of-the-Art Millimeter-Wave N-Polar GaN MISHEMTs | 27 |
Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2 Layer for Large Memory Window and High Performance | 22 |
2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges | 20 |
High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxide-Based FeFET Memory Without Retention Penalty | 20 |
BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, AC Stress and Recovery Time Kinetics, Nitrogen Impact, and EOL Estimation | 20 |
Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells | 18 |
Design and Investigation of Charge-Plasma-Based Work Function Engineered Dual-Metal-Heterogeneous Gate Si-Si0.55Ge0.45 GAA-Cylindrical NWTFET for Ambipolar Analysis | 17 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。