本書針對當前軍工電子工藝技術中存在的問題，以科技創新為切入點，按照工藝技術體系框架展開，清晰地論述了軍工電子各工藝之間的關系和與武器裝備研制的關聯。本書涵蓋了系統、整機、元器件、信息功能材料工藝及相應的工藝設備，科學總結了軍事電子裝備研制生產有關的專業工藝技術和工藝管理方法，反映了軍事電子工業工藝技術的現狀、水平和成就。該書圖文并茂，數據，既有機理方法的描述，又有可操作的工藝技術；既包括了現今應用的工藝技術，又面向了工藝技術的未來發展，實用性很強。該書的發行，正處于“中國制造2025”實施的歷史進程中，對落實制造強國戰略、提高電子信息工藝水平有重要意義。
張為民，男，大學畢業后分配到中國電子科技集團公司第54研究所的前身——電子第17研究所從事工藝技術工作；1989年起擔任到中國電子科技集團公司第54研究所的工藝研究室副主任；1991年起擔任到中國電子科技集團公司第54研究所的工藝研究室主任；2004年8月起開始不擔任行政工作，主要從事技術研究工作。
及時篇 概 論
第1章 軍用電子產品及其工藝技術 2
1.1 軍用電子產品 2
1.1.1 綜合電子信息系統 2
1.1.2 軍事電子裝備 2
1.1.3 電子元器件及信息功能材料 3
1.2 軍工電子工藝技術的內涵與特點 5
1.2.1 軍工電子工藝技術的內涵 5
1.2.2 軍工電子工藝技術的特點 5
1.3 軍工電子工藝技術的地位和作用 7
1.3.1 軍工電子工藝技術的地位 7
1.3.2 軍工電子工藝技術的作用 8
1.4 軍工電子工藝技術的發展歷程 10
參考文獻 12
第2章 軍工電子工藝技術體系 13
2.1 概述 13
2.1.1 軍工電子工藝技術體系圖 13
2.1.2 軍工電子工藝技術關系 13
2.2 軍工電子工藝技術體系構成 13
2.2.1 信息功能材料制造工藝技術 16
2.2.2 電子元器件制造工藝技術 16
2.2.3 電氣互聯技術 17
2.2.4 電子整機制造工藝技術 19
2.2.5 共用技術 22
參考文獻 22
第二篇 工藝技術在軍事電子典型裝備中的應用
第3章 典型電子裝備制造工藝應用 24
3.1 雷達制造工藝 24
3.1.1 雷達及其基本組成 24
3.1.2 雷達裝備工藝技術體系 25
3.1.3 雷達關鍵工藝 27
3.2 電子戰裝備制造工藝 32
3.2.1 電子戰裝備及其基本組成 32
3.2.2 電子戰裝備工藝技術體系 33
3.2.3 電子戰裝備關鍵工藝 35
3.3 通信裝備制造工藝 43
3.3.1 通信裝備及其基本組成 43
3.3.2 通信裝備工藝技術體系 44
3.3.3 通信裝備關鍵工藝 44
3.4 導航裝備制造工藝 50
3.4.1 導航裝備及其基本組成 50
3.4.2 導航裝備工藝技術體系 52
3.4.3 導航裝備關鍵工藝 54
3.5 數據鏈裝備制造工藝 57
3.5.1 數據鏈裝備及其基本組成 57
3.5.2 數據鏈裝備工藝技術體系 58
3.5.3 數據鏈裝備關鍵工藝 60
3.6 綜合電子信息系統制造工藝 61
3.6.1 綜合電子信息系統及其基本組成 61
3.6.2 綜合電子信息系統工藝技術體系 62
3.6.3 綜合電子信息系統關鍵工藝 64
參考文獻 68
第4章 典型電子元器件制造工藝應用 70
4.1 微電子器件制造工藝 70
4.1.1 微電子器件及其特點 70
4.1.2 微電子器件制造工藝流程 76
4.1.3 微電子器件制造工藝技術體系 78
4.1.4 微電子器件制造關鍵工藝 78
4.2 光電子器件制造工藝 85
4.2.1 光電子器件及其特點 85
4.2.2 光電子器件制造工藝流程 89
4.2.3 光電子器件制造工藝技術體系 95
4.2.4 光電子器件制造關鍵工藝 97
4.3 真空電子器件制造工藝 100
4.3.1 真空電子器件及其特點 100
4.3.2 真空電子器件制造工藝流程 102
4.3.3 真空電子器件制造工藝技術體系 104
4.3.4 真空電子器件制造關鍵工藝 106
4.4 MEMS器件制造工藝 107
4.4.1 MEMS器件及其特點 107
4.4.2 MEMS器件制造工藝流程 110
4.4.3 MEMS器件制造工藝技術體系 113
4.4.4 MEMS器件制造關鍵工藝 114
4.5 物理電源制造工藝 115
4.5.1 物理電源及其特點 115
4.5.2 物理電源制造工藝流程 116
4.5.3 物理電源制造工藝技術體系 117
4.5.4 物理電源制造關鍵工藝 118
4.6 傳感器制造工藝 118
4.6.1 傳感器及其特點 118
4.6.2 傳感器制造工藝流程 121
4.6.3 傳感器制造工藝技術體系 123
4.6.4 傳感器制造關鍵工藝 123
4.7 微系統集成制造工藝 124
4.7.1 微系統集成制造及其特點 124
4.7.2 微系統集成制造工藝流程 127
4.7.3 微系統集成制造工藝技術體系 129
4.7.4 微系統集成制造關鍵工藝 130
參考文獻 132
第三篇 信息功能材料制造工藝技術
第5章 信息功能材料制造工藝技術概述 134
5.1 信息功能材料的內涵及特點 134
5.2 信息功能材料制造工藝的地位及作用 134
5.3 信息功能材料工藝體系框架 135
第6章 晶體材料生長技術 136
6.1 概述 136
6.1.1 晶體材料生長技術體系 136
6.1.2 晶體材料生長技術的應用現狀 137
6.2 熔體法晶體生長工藝 137
6.2.1 直拉法晶體生長工藝 137
6.2.2 區熔法晶體生長工藝 140
6.2.3 LEC晶體生長工藝 142
6.2.4 VB/VGF法晶體生長工藝 144
6.3 氣相法晶體生長工藝 146
6.3.1 PVT法晶體生長工藝 146
6.3.2 HVPE法晶體生長工藝 148
6.4 晶體生長設備 149
6.4.1 直拉單晶生長爐 150
6.4.2 區熔單晶生長爐 150
6.4.3 LEC單晶生長爐 150
6.4.4 VB/VGF單晶生長爐 151
6.4.5 PVT法單晶生長爐 152
6.4.6 HVPE法單晶生長爐 153
6.5 晶體材料生長技術發展趨勢 154
參考文獻 154
第7章 晶體材料加工技術 155
7.1 概述 155
7.1.1 晶體材料加工技術體系 155
7.1.2 晶體材料加工技術的應用現狀 156
7.2 晶體材料加工技術 156
7.2.1 斷棒 156
7.2.2 單晶棒外圓滾磨和定位面的制作 156
7.2.3 切片 159
7.2.4 倒角 160
7.2.5 倒角后晶圓的厚度分選 160
7.2.6 晶圓的雙面研磨或表面磨削 161
7.2.7 化學腐蝕 162
7.2.8 腐蝕后晶圓的厚度分選 163
7.2.9 拋光 163
7.2.10 晶圓清洗 165
7.2.11 晶圓測量與包裝 165
7.3 晶體加工設備 166
7.3.1 切片機 166
7.3.2 倒角機 166
7.3.3 磨拋設備 167
7.3.4 清洗設備 168
7.4 晶體材料加工技術發展趨勢 168
參考文獻 169
第8章 粉體材料制備技術 170
8.1 概述 170
8.1.1 粉體材料制備技術體系 170
8.1.2 粉體材料制備技術的應用現狀 170
8.2 固相法粉體制備工藝 170
8.2.1 配料、混料 171
8.2.2 預燒 171
8.2.3 磨料 172
8.3 液相法粉體制備工藝 172
8.3.1 溶膠?凝膠法 172
8.3.2 水熱合成法 173
8.3.3 共沉淀法 173
8.4 粉體制備工藝設備 174
8.4.1 固相法粉體制備工藝設備 174
8.4.2 液相法粉體制備工藝設備 176
8.5 粉體材料制備技術發展趨勢 176
參考文獻 176
第9章 粉體材料成型技術 177
9.1 概述 177
9.1.1 粉體材料成型技術體系 177
9.1.2 粉體材料成型技術的應用現狀 177
9.2 粉體材料成型工藝 177
9.2.1 成型工藝 177
9.2.2 燒結工藝 179
9.2.3 磨加工工藝 180
9.2.4 清洗檢驗 181
9.3 粉體材料加工工藝設備 181
9.3.1 成型設備 181
9.3.2 燒結設備 182
9.3.3 磨加工設備 183
9.4 粉體材料加工工藝發展趨勢 183
參考文獻 184
第四篇 電子元器件制造工藝技術
第10章 外延工藝 186
10.1 概述 186
10.1.1 外延工藝技術體系 186
10.1.2 外延工藝的應用現狀 187
10.2 氣相外延(VPE)工藝 187
10.2.1 Si氣相外延 188
10.2.2 SiGe氣相外延 189
10.2.3 GaAs氣相外延 190
10.2.4 SiC氣相外延 192
10.3 液相外延(LPE)工藝 192
10.3.1 GaAs系液相外延 193
10.3.2 InP系液相外延 194
10.3.3 HgCdTe系液相外延 194
10.4 分子束外延(MBE)工藝 195
10.4.1 固態源分子束外延(SSMBE) 195
10.4.2 氣態源分子束外延(GSMBE) 197
10.4.3 有機源分子束外延(MOMBE) 197
10.5 金屬有機物化學氣相淀積外延(MOCVD)工藝 198
10.5.1 GaAs/InP系MOCVD 198
10.5.2 GaN系MOCVD 200
10.6 外延設備 201
10.6.1 氣相外延(VPE)爐 201
10.6.2 液相外延爐 201
10.6.3 分子束外延設備 202
10.6.4 金屬有機物化學氣相淀積外延設備 202
10.7 外延工藝發展趨勢 204
參考文獻 204
第11章 掩模制造與光刻工藝 205
11.1 概述 205
11.1.1 掩模制造與光刻工藝技術體系 205
11.1.2 掩模制造與光刻工藝的應用現狀 206
11.2 掩模制造工藝 206
11.2.1 數據處理 206
11.2.2 曝光 207
11.2.3 掩模的基板 207
11.2.4 掩模制造工藝分類 207
11.2.5 掩模質量控制 208
11.3 光刻工藝 209
11.3.1 預處理 209
11.3.2 涂膠 210
11.3.3 曝光 210
11.3.4 顯影 214
11.3.5 光刻質量控制 215
11.4 掩模和光刻設備 217
11.4.1 涂膠顯影軌道 217
11.4.2 光刻機 217
11.4.3 電子束曝光系統 217
11.5 掩模制造與光刻工藝發展趨勢 218
參考文獻 219
第12章 摻雜工藝 220
12.1 概述 220
12.1.1 摻雜工藝技術體系 220
12.1.2 摻雜工藝的應用現狀 220
12.2 擴散工藝 221
12.2.1 擴散 221
12.2.2 常用擴散工藝 223
12.2.3 擴散層質量的檢驗 227
12.3 離子注入工藝 229
12.3.1 離子注入 229
12.3.2 離子注入系統 231
12.3.3 離子注入參數 233
12.3.4 離子注入工藝與應用 233
12.4 摻雜設備 235
12.4.1 擴散氧化爐 235
12.4.2 離子注入機 236
12.4.3 退火爐 236
12.5 摻雜工藝發展趨勢 236
參考文獻 237
第13章 刻蝕工藝 238
13.1 概述 238
13.1.1 刻蝕工藝技術體系 238
13.1.2 刻蝕工藝的應用現狀 239
13.2 濕法刻蝕工藝 239
13.2.1 硅的刻蝕 239
13.2.2 GaAs和InP的各向異性刻蝕 242
13.2.3 非半導體薄膜材料的刻蝕 244
13.3 干法刻蝕工藝 246
13.3.1 干法刻蝕 246
13.3.2 等離子刻蝕的工藝參數 247
13.3.3 等離子體刻蝕方法 249
13.4 刻蝕設備 252
13.4.1 等離子刻蝕設備 253
13.4.2 離子束刻蝕設備 253
13.4.3 反應離子刻蝕機 253
13.5 刻蝕工藝發展趨勢 254
參考文獻 254
第14章 薄膜生長工藝 255
14.1 概述 255
14.1.1 薄膜生長工藝技術體系 255
14.1.2 薄膜淀積工藝應用現狀 256
14.2 金屬薄膜生長工藝 256
14.2.1 真空鍍膜 256
14.2.2 電鍍法 261
14.2.3 CVD法 262
14.3 介質薄膜生長工藝 262
14.3.1
能解釋下么，接近兩百塊的書就包裝成這個樣子？到手跟舊書差不多，里面這個臟兮兮的是啥，舊書？還是本來就盜版的？
書很不錯，講解的很詳細
